Untuk berbagai semikonduktor diskrit, parameter-parameter yang terpenting diberikan pada tabel 3.5.
Test sederhana dioda untuk memeriksa apakah nilai-nilai VF dan V(BR) berada dalam batas-batasnya, dapat dilakukan dengan mempergunakan sumber arus konstan. hampir pada seluruh pengukuran jenis ini, arusnya harus diusahakan konstan untuk menghindari panas berlebihan dan kemungkinan kerusakan komponen. Sebuah karakteristik dioda misalnya 5mA, dilakukan pada sebuah dioda dan VF terbaca dengan Voltmeter ternyata off.
Jikalau karakteristik IF/VF diperlukan, sebuah sirkit dapat digunakan untuk memperagakannya pada osiloskop, dan harus mempergunakan ramp generator (itu dapat dilihat pada gambar 3.17).
Tegangan tembus semikonduktor harus selalu juga diukur dengan sumber arus konstan. Pada keadaan tembus, yang umumnya merupakan "avalanche effect", kenaikan arus yang cepat terjadi bila tegangan naik. Sebuah sirkit pengetest "Break down" (tembus) pada gambar 3.18 dapat dipergunakan tanpa merusak dioda, yaitu untuk V(BR), VZ, V(BR)CEO dan sebagainya. Sirkit itu sesungguhnya sebuah pembangkit arus konstan yang dihasilkan oleh sirkit Q1. Basis Ql dipertahankan pada tegangan 5,6 V oleh dioda zener, sehingga VE kira-kira 5V. Arus emiter dan arus kolektor, dapat distel dengan mengubah-ubah resistansi emiter RV1.
Arus akan cukup konstan sepanjang perubahan-perubahan tegangan kolektor dari 10V sampai 200V. Perhatikan, bahwa arus maksimum kira-kira 1 mA, cukup rendah dan tidak menimbulkan kerusakan. Kalau sebuah komponen diperiksa batas tembusnya, switch test ditekan dan tegangan pada ujung-ujung komponen akan naik sampai nilai tembusnya, dimana arusnya dibatasi. Tegangan pada ujung-ujung piranti yang ditest dapat dibaca dengan multimeter.
Pengujian dioda tembus arah balik ini dapat dilakukan untuk semua jenis dioda yang tersedia, dari dioda penyearah, LED maupun dioda zener seperti gambar disamping. Hanya harus disediakan catu daya DC dengan tegangan yang dapat diatur dan tegangan yang tersedia minimum 250 Volt DC.
Dilihat dari bentuk fisiknya, transistor mempunyai berbagai macam bentuk. Gambar 3.19 menunjukkan bentuk transistor yang sering dijumpai di pasaran.
Transistor beroperasi secara normal bila antara emitter dan basis diberi tegangan maju (forward), sedangkan antara kolektor dan emiternya diberi tegangan mundur (reverse). Dalam rangkaian sederhana, digambarkan sebagai berikut:
Pengetestan-pengetestan hFE pada umumnya digunakan sebagai petunjuk operasi transistor. Dan sebuah rangkaian sederhana untuk mengukur itu ditunjukkan pada gambar 3.21. perhatikan, bahwa hFE adalah sinyal dc yang besar penguatan-nya dari "Common emiter atau emiter terbumi":
Pada nilai-nilai tertentu dari VCE dan IC dari berbagai sirkit dapat dibangun untuk mengukur dengan tepat, misalnya: hFE, hfe, maupun parameter-parameter h yang lainnya, tetapi merupakan suatu pertanyaan.
Barangkali lebih baik, jika kita membuat kurva karakteristik menggunakan misalnga "XY plotter" untuk secara otomatis menghasilkan kurva (gambar 3.22).
VCE(sat) biasanya ditentukan dengan IC/IB = 10 : 1. Jadi untuk men-switch transistor-transistor sebuah sirkit pengetest go/no-go seperti pada Gambar 3.23, dengan mudah dapat dibuat, dan nilai-nilai VCE(sat) pada nilai-nilai IC tertentu diukur dengan voltmeter digital.
IC = 10 mA
perhatikan, bawah: RB : RC = 10 : 1
Pengukuran VCE(sat) pada nilai-nilai IC diperoleh dengan mengubah-ubah nilai RB dan RC.
Untuk FET, parameter-parameter dapat dibuktikan kembali
IDSS, arus drain dengan VGS = 0 dan VDS = VP
Sirkit untuk memeriksa nilai-nilai tersebut diatas ditunjukkan pada gambar 3.24. Untuk Yfs (atau juga disebut gm) transkonduktansi, sirkit itu mempunyai taraf bias tetap yang diset sedemikian rupa, sehingga dapat ditetapkan suatu titik kerja. Kemudian VGS divariasikan oleh sinyal dari sumber ac, dan perubahan yang dihasilkan pada arus drain dicatat. Harga Yfs akan sebesar 2 milliSiemen.
Akhirnya untuk komponen diskrit thyristor ditunjukkan sebuah sirkit pengetest pada gambar 3.25. Sirkit ini dapat memeriksa benar tidaknya operasi FET dengan memasangkan nilai-nilai khusus dari IGT dan VGT ke gerbang thyristor. Mula-mula, R2diset pada minimum, S1 ditutup dan arus meter I harus rendah (50u A), dan voltmeter harus menunjukkan 24 V. Ini disebabkan oleh karena thyristor memblok arah maju, jadi nonkonduksi. M1 harus menunjukkkan kira-kira 100 mA, dan M2 menunjukkan kira-kira 1V. Selanjutnya bila R2 dinaikkan, nilai arusnya berangsur-angsur menurun sampai tercapai suatu titik nonkonduksi dari thyristor itu. Arus yang ditunjukkan tepat sebelum nonkonduksi, adalah: arus hold (holding current) IH.
Test pada ic linier dan digital
Mengetest IC linear dan digital dapat juga dilakukan dengan teliti pada semua parameter, tetapi lebih umum menunjukkan fungsi sirkit lebih diperlukan. Dengan perkataan lain, apakah sebuah op-amp mempunyai penguatan atau apakah sebuah IC counter dapat membagi dengan benar?Dengan memasangkan IC kedalam sebuah "TEST JIG" yang mengharuskan IC itu berosilasi atau melaksanakan fungsi logik, piranti-piranti yang baik dapat disimpan dan dipisahkan dari yang buruk atau rusak. Prosedur ini dapat pula dipergunakan untuk mengetest tiap piranti aktif seperti transistor, unijunction, dan thyristor.
Dua buah contoh metoda ini ditunjukkan pada gambar 3.27. Yang pertama, menunjukkan bagaimana sebuah IC linier dari jenis DIP 8-pin dapat diperiksa dengan pemeriksaan fungsional. Komponen-komponen disekitar IC akan membentuk osilator frekuensi rendah (2Hz). Kalau IC dimasukkan kedalam soket "test jig" dengan benar, LED akan menyala hidup-mati.
Sebuah CMOS Quad 2 input positive (I/p) NAND gates (4011B) dapat juga dicek dengan merangkaikan komponen-komponen sekitar soket (14 pin), sehingga terjadi osilasi frekuensi rendah. Pemeriksaan tambahan terhadap gerbang internal dapat dilakukan dengan meng-operasikan kedua "Inhibit switches" Sl dan S2.
0 komentar :
Posting Komentar
Terima kasih, atas saran atau usulan anda.